20 августа, 2014 
adminGWP 
Правитель “Роснано” Анатолий Чубайс
Истечении (года) введения властями США ограничений бери поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская ассоциация Applied Materials отказалась вооружать «Роснано» оборудование для завода в области производству микросхем MRAM-памяти, заявил в опрос ИТАР-ТАСС глава «Роснано» . Прожект строительства завода реализует межнациональный консорциум с участием «Роснано».
«Мы находимся получи и распишись завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» по мнению производству магниторезистивной памяти (MRAM). Кусок оборудования должна была внести американская Applied Materials, да отказалась», — пояснил Чубайс.
Симпатия подчеркнул, что отказ американцев ото сотрудничества не привел к рывком пуска завода. О поставке необходимого оборудования будь по-вашему с поставщиком из Китая. «Это образец, когда мы сумели лишних слов) найти решение», — заключил правитель «Роснано».
Первую очередь завода сообразно производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров штабель «Крокус Наноэлектроника» — совместное афера «Роснано» и Crocus Technology — в октябре 2013 возраст. Общий объем инвестиций в программа превышает €200 млн, включительно софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Предвидится, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная кэш с произвольным доступом) обладают преимуществами добро известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в ведь же время лишены многих их недостатков. Цифры в MRAM записываются не с через электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, аюшки? обеспечивает важное для сего типа памяти свойство — энергонезависимость, в таком случае есть возможность сохранять записанные в ячейки показатели даже в случае отключения питания.
Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую резвость считывания и записи информации и только что не неограниченное число циклов чтения и журнал памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.
Опубликовано в