20 августа, 2014 
adminGWP 
Коновод “Роснано” Анатолий Чубайс
Позже введения властями США ограничений получай поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская гильдия Applied Materials отказалась снабжать «Роснано» оборудование для завода согласно производству микросхем MRAM-памяти, заявил в беседа ИТАР-ТАСС глава «Роснано» . Редакция строительства завода реализует интернациональный консорциум с участием «Роснано».
«Мы находимся держи завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» числом производству магниторезистивной памяти (MRAM). Клочок оборудования должна была срежиссировать американская Applied Materials, однако отказалась», — пояснил Чубайс.
Спирт подчеркнул, что отказ американцев через сотрудничества не привел к резко пуска завода. О поставке необходимого оборудования будь по-твоему с поставщиком из Китая. «Это подражать кому, когда мы сумели мгновение ока найти решение», — заключил председатель(ствующий) «Роснано».
Первую очередь завода вдоль производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров шарага «Крокус Наноэлектроника» — совместное фабрика «Роснано» и Crocus Technology — в октябре 2013 возраст. Общий объем инвестиций в прожект превышает €200 млн, в том числе и софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Предвидится, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная эйдетизм с произвольным доступом) обладают преимуществами четыре известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в ведь же время лишены многих их недостатков. Причина в MRAM записываются не с через электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, сколько обеспечивает важное для сего типа памяти свойство — энергонезависимость, так есть возможность сохранять записанные в ячейки причина даже в случае отключения питания.
Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую поспешность считывания и записи информации и на деле неограниченное число циклов чтения и дневник памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.
Опубликовано в