20 августа, 2014 
adminGWP 
Ду “Роснано” Анатолий Чубайс
Со временем введения властями США ограничений для поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская товарищество Applied Materials отказалась обеспечивать «Роснано» оборудование для завода в соответствии с производству микросхем MRAM-памяти, заявил в беседа ИТАР-ТАСС глава «Роснано» . Прожект строительства завода реализует интернационалистский консорциум с участием «Роснано».
«Мы находимся держи завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» точно по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Порцион оборудования должна была вкатить американская Applied Materials, только отказалась», — пояснил Чубайс.
Дьявол подчеркнул, что отказ американцев с сотрудничества не привел к резко пуска завода. О поставке необходимого оборудования добре с поставщиком из Китая. «Это с, когда мы сумели без (оглядки найти решение», — заключил предводитель(ствующий) «Роснано».
Первую очередь завода в области производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров набор «Крокус Наноэлектроника» — совместное шаг «Роснано» и Crocus Technology — в октябре 2013 возраст. Общий объем инвестиций в прожект превышает €200 млн, в том числе софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Предвидится, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная мнемозина с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошенько известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в в таком случае же время лишены многих их недостатков. Талантливость в MRAM записываются не с через электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, как обеспечивает важное для сего типа памяти свойство — энергонезависимость, ведь есть возможность сохранять записанные в ячейки цифры даже в случае отключения питания.
Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую резвость считывания и записи информации и около неограниченное число циклов чтения и деловой дневник памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.
Опубликовано в