19 августа, 2014 
adminGWP 
Господин “Роснано” Анатолий Чубайс
Впоследств введения властями США ограничений сверху поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская группирование Applied Materials отказалась экспортировать «Роснано» оборудование для завода сообразно производству микросхем MRAM-памяти, заявил в опрос ИТАР-ТАСС глава «Роснано» . Программа строительства завода реализует транснациональный консорциум с участием «Роснано».
«Мы находимся в завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» ровно по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Доля оборудования должна была назначи американская Applied Materials, только отказалась», — пояснил Чубайс.
Возлюбленный подчеркнул, что отказ американцев через сотрудничества не привел к резким движением пуска завода. О поставке необходимого оборудования ладушки с поставщиком из Китая. «Это парабола, когда мы сумели быстротечно найти решение», — заключил корифей «Роснано».
Первую очередь завода по мнению производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров (теплая «Крокус Наноэлектроника» — совместное компания «Роснано» и Crocus Technology — в октябре 2013 годы. Общий объем инвестиций в схема превышает €200 млн, в том числе и софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Предвидится, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная парамнезия с произвольным доступом) обладают преимуществами мирово известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в так же время лишены многих их недостатков. Факты в MRAM записываются не с через электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, почему обеспечивает важное для сего типа памяти свойство — энергонезависимость, так есть возможность сохранять записанные в ячейки талантливость даже в случае отключения питания.
Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую соэ считывания и записи информации и в самом деле неограниченное число циклов чтения и еженедельник памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.
Опубликовано в