«Роснано» осталось без американского оборудования для изготовления чипов

Патрон «Роснано» Анатолий Чубайс

А там введения властями США ограничений бери поставку в Россию так называемых технологий двойного назначения американская товарищество Applied Materials отказалась экспортировать «Роснано» оборудование для завода сообразно производству микросхем MRAM-памяти, заявил в собеседование ИТАР-ТАСС глава «Роснано» . План строительства завода реализует интернационалистский консорциум с участием «Роснано».

«Мы находимся в завершающей стадии строительства крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» после производству магниторезистивной памяти (MRAM). Опилки оборудования должна была наставить американская Applied Materials, только отказалась», — пояснил Чубайс.

Дьявол подчеркнул, что отказ американцев с сотрудничества не привел к рывком пуска завода. О поставке необходимого оборудования быть по сему с поставщиком из Китая. «Это аллегория, когда мы сумели счета) найти решение», — заключил правитель «Роснано».

Первую очередь завода сообразно производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров колода «Крокус Наноэлектроника» — совместное акт «Роснано» и Crocus Technology — в октябре 2013 лета. Общий объем инвестиций в редакция превышает €200 млн, в том числе софинансирование «Роснано» в размере €100 млн. Предвидится, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит $8 млрд.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная воспоминания с произвольным доступом) обладают преимуществами из известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в ведь же время лишены многих их недостатков. Цифирь в MRAM записываются не с через электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, который обеспечивает важное для сего типа памяти свойство — энергонезависимость, в таком случае есть возможность сохранять записанные в ячейки документация даже в случае отключения питания.

Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую проворство считывания и записи информации и утилитарно неограниченное число циклов чтения и ежедневник памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий

Чтобы иметь возможность оставлять комментарии, вы должны войти.